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厂商型号

KSD569YTU 

产品描述

Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

内部编号

3-KSD569YTU

#1

期货
1 ¥4.228

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

KSD569YTU产品详细规格

文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 7A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 3A, 1V
功率 - 最大 1.5W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
包装 3TO-220
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 7 A
最小直流电流增益 100@3A@1V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@0.5A@5A V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1500 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 7
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1500
最大基地发射极电压 7
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 TO-220
最大集电极发射极电压 80
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 7A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 500mA, 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 1.5W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 3A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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